7

IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]

370,00 руб.

x 370,00 = 370,00
Артикул: 1126181 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней370,00руб.344,10руб.333,00руб.325,60руб.314,50руб.296,00руб.288,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней695,60руб.640,10руб.629,00руб.614,20руб.592,00руб.558,70руб.543,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней706,70руб.651,20руб.636,40руб.621,60руб.592,00руб.562,40руб.551,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней444,00руб.407,00руб.399,60руб.388,50руб.377,40руб.355,20руб.344,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней643,80руб.592,00руб.577,20руб.566,10руб.547,60руб.514,30руб.499,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней403,30руб.373,70руб.362,60руб.355,20руб.344,10руб.321,90руб.314,50руб.

Характеристики

IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]The IRFP4368PBF is a 75V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to247ac
Структура

n-канал