Заполнитель

IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]

76,00 руб.

x 76,00 = 76,00
Артикул: 1126164 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней76,00руб.70,68руб.68,40руб.66,88руб.62,32руб.60,80руб.59,28руб.54,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней137,56руб.126,16руб.123,88руб.120,84руб.112,48руб.110,20руб.107,16руб.96,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней177,84руб.164,16руб.160,36руб.156,56руб.145,92руб.142,12руб.139,08руб.124,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней91,20руб.83,60руб.82,08руб.79,80руб.74,48руб.72,96руб.70,68руб.63,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней175,56руб.161,88руб.158,08руб.154,28руб.149,72руб.144,40руб.136,80руб.123,12руб.

Характеристики

IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]The IRFP250NPBF from International Rectifier is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage (Vds) of 200V
• Gate to source voltage of ±20V
• On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
• Power dissipation Pd of 214W at 25 C
• Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25 C
• Operating junction temperature range from -55 C to 175 C

Дополнительная информация

Корпус

to247ac
Структура

n-канал