51

Транзистор IRFP23N50LPBF

490,00 руб.

x 490,00 = 490,00
Артикул: 1128124 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней490,00руб.455,70руб.441,00руб.431,20руб.416,50руб.392,00руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней921,20руб.847,70руб.833,00руб.813,40руб.784,00руб.739,90руб.720,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней935,90руб.862,40руб.842,80руб.823,20руб.784,00руб.744,80руб.730,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней588,00руб.539,00руб.529,20руб.514,50руб.499,80руб.470,40руб.455,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней852,60руб.784,00руб.764,40руб.749,70руб.725,20руб.681,10руб.661,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней534,10руб.494,90руб.480,20руб.470,40руб.455,70руб.426,30руб.416,50руб.

Характеристики

IRFP23N50LPBFThe IRFP23N50LPBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. Superfast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications. Suitable for use in zero voltage switching SMPS, telecom and server power supplies, uninterruptible power supplies and motor control applications.

• Enhanced dv/dt capabilities offer improved ruggedness
• Higher gate voltage threshold offers improved noise immunity
• 150 C Operating temperature

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-247-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 23 А, 277 Вт, 0.23 Ом