51

Транзистор IRFP1405PBF

190,00 руб.

x 190,00 = 190,00
Артикул: 1128123 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней190,00руб.176,70руб.171,00руб.167,20руб.161,50руб.152,00руб.148,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней357,20руб.328,70руб.323,00руб.315,40руб.304,00руб.286,90руб.279,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней362,90руб.334,40руб.326,80руб.319,20руб.304,00руб.288,80руб.283,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней228,00руб.209,00руб.205,20руб.199,50руб.193,80руб.182,40руб.176,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней330,60руб.304,00руб.296,40руб.290,70руб.281,20руб.264,10руб.256,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней207,10руб.191,90руб.186,20руб.182,40руб.176,70руб.165,30руб.161,50руб.

Характеристики

IRFP1405PBFThe IRFP1405PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-247AC, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 55В 95А 310Вт