3c1612ba675a72107c4105e7118f7945

IRFL210PBF, МОП-транзистор, N Канал, 960 мА, 200 В, 1.5 Ом

31,00 руб.

x 31,00 = 31,00
Артикул: 1134423 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней31,00руб.28,83руб.27,90руб.27,28руб.25,42руб.24,80руб.24,18руб.22,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней56,11руб.51,46руб.50,53руб.49,29руб.45,88руб.44,95руб.43,71руб.39,37руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней72,54руб.66,96руб.65,41руб.63,86руб.59,52руб.57,97руб.56,73руб.50,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней37,20руб.34,10руб.33,48руб.32,55руб.30,38руб.29,76руб.28,83руб.26,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней71,61руб.66,03руб.64,48руб.62,93руб.61,07руб.58,90руб.55,80руб.50,22руб.

Характеристики

IRFL210PBF, МОП-транзистор, N Канал, 960 мА, 200 В, 1.5 Ом The IRFL210PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
• Surface-mount
• Repetitive avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

3.1Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

960мА