IRFI4110GPBF, МОП-транзистор, N Канал, 72 А, 100 В, 3.7 мОм

360,00 руб.

Артикул: 1134409 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	360,00руб.	334,80руб.	324,00руб.	316,80руб.	306,00руб.	288,00руб.	280,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	676,80руб.	622,80руб.	612,00руб.	597,60руб.	576,00руб.	543,60руб.	529,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	687,60руб.	633,60руб.	619,20руб.	604,80руб.	576,00руб.	547,20руб.	536,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	432,00руб.	396,00руб.	388,80руб.	378,00руб.	367,20руб.	345,60руб.	334,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	626,40руб.	576,00руб.	561,60руб.	550,80руб.	532,80руб.	500,40руб.	486,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	392,40руб.	363,60руб.	352,80руб.	345,60руб.	334,80руб.	313,20руб.	306,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFI4110GPBF, МОП-транзистор, N Канал, 72 А, 100 В, 3.7 мОм The IRFI4110GPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-220fp
Рассеиваемая Мощность	61Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	72А