14

Транзистор IRFHS9351TRPBF, 2Pкан -30В -5.1А 170мОм PQFN2x2

72,60 руб.

x 72,60 = 72,60
Артикул: 1128103 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней72,60руб.67,52руб.65,34руб.63,89руб.59,53руб.58,08руб.56,63руб.52,27руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней131,41руб.120,52руб.118,34руб.115,43руб.107,45руб.105,27руб.102,37руб.92,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней169,88руб.156,82руб.153,19руб.149,56руб.139,39руб.135,76руб.132,86руб.119,06руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней87,12руб.79,86руб.78,41руб.76,23руб.71,15руб.69,70руб.67,52руб.60,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней167,71руб.154,64руб.151,01руб.147,38руб.143,02руб.137,94руб.130,68руб.117,61руб.

Характеристики

IRFHS9351TRPBF, 2Pкан -30В -5.1А 170мОм PQFN2x2N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Транзисторы полевые импортные

Дополнительная информация

Корпус

PQFN2x2