14

Транзистор IRFHM8329TRPBF, Nкан 30В 25А 4.9мОм PQFN3.3×3.3

12,00 руб.

x 12,00 = 12,00
Артикул: 1126142 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней12,00руб.11,16руб.10,80руб.10,56руб.9,84руб.9,60руб.9,36руб.8,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней21,72руб.19,92руб.19,56руб.19,08руб.17,76руб.17,40руб.16,92руб.15,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней28,08руб.25,92руб.25,32руб.24,72руб.23,04руб.22,44руб.21,96руб.19,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней14,40руб.13,20руб.12,96руб.12,60руб.11,76руб.11,52руб.11,16руб.10,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней27,72руб.25,56руб.24,96руб.24,36руб.23,64руб.22,80руб.21,60руб.19,44руб.

Характеристики

IRFHM8329TRPBF, Nкан 30В 25А 4.9мОм PQFN3.3×3.3N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус

pqfn 3.3×3.3 mm
Структура

n-канал