IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм

49,00 руб.

Артикул: 1127150 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	49,00руб.	45,57руб.	44,10руб.	43,12руб.	40,18руб.	39,20руб.	38,22руб.	35,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	88,69руб.	81,34руб.	79,87руб.	77,91руб.	72,52руб.	71,05руб.	69,09руб.	62,23руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	114,66руб.	105,84руб.	103,39руб.	100,94руб.	94,08руб.	91,63руб.	89,67руб.	80,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	58,80руб.	53,90руб.	52,92руб.	51,45руб.	48,02руб.	47,04руб.	45,57руб.	41,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	113,19руб.	104,37руб.	101,92руб.	99,47руб.	96,53руб.	93,10руб.	88,20руб.	79,38руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFH8316TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 25А 4.9мОм N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус	pqfn 5×6 mm
Структура	n-канал

Загрузка