Транзистор IRFH7440TRPBF, StrongIRFET N-канал 40В 85А 2.4мОм PQFN5x6

85,00 руб.

Артикул: 1127145 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	85,00руб.	79,05руб.	76,50руб.	74,80руб.	69,70руб.	68,00руб.	66,30руб.	61,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	153,85руб.	141,10руб.	138,55руб.	135,15руб.	125,80руб.	123,25руб.	119,85руб.	107,95руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	198,90руб.	183,60руб.	179,35руб.	175,10руб.	163,20руб.	158,95руб.	155,55руб.	139,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	102,00руб.	93,50руб.	91,80руб.	89,25руб.	83,30руб.	81,60руб.	79,05руб.	71,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	196,35руб.	181,05руб.	176,80руб.	172,55руб.	167,45руб.	161,50руб.	153,00руб.	137,70руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFH7440TRPBF, StrongIRFET N-канал 40В 85А 2.4мОм PQFN5x6The IRFH7440TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for PWM inverter topologies, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, electronic ballast applications and synchronous rectifier applications.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability