14

Транзистор IRFH5007TRPBF,Nкан 75В 100А 5.9мОм PQFN5x6

199,00 руб.

x 199,00 = 199,00
Артикул: 1127520 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней199,00руб.185,07руб.179,10руб.175,12руб.169,15руб.159,20руб.155,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней374,12руб.344,27руб.338,30руб.330,34руб.318,40руб.300,49руб.292,53руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней380,09руб.350,24руб.342,28руб.334,32руб.318,40руб.302,48руб.296,51руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней238,80руб.218,90руб.214,92руб.208,95руб.202,98руб.191,04руб.185,07руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней346,26руб.318,40руб.310,44руб.304,47руб.294,52руб.276,61руб.268,65руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней216,91руб.200,99руб.195,02руб.191,04руб.185,07руб.173,13руб.169,15руб.

Характеристики

IRFH5007TRPBF,Nкан 75В 100А 5.9мОм PQFN5x6N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.