60

IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]

32,00 руб.

x 32,00 = 32,00
Артикул: 1126713 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней32,00руб.29,76руб.28,80руб.28,16руб.26,24руб.25,60руб.24,96руб.23,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней57,92руб.53,12руб.52,16руб.50,88руб.47,36руб.46,40руб.45,12руб.40,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней74,88руб.69,12руб.67,52руб.65,92руб.61,44руб.59,84руб.58,56руб.52,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней38,40руб.35,20руб.34,56руб.33,60руб.31,36руб.30,72руб.29,76руб.26,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней73,92руб.68,16руб.66,56руб.64,96руб.63,04руб.60,80руб.57,60руб.51,84руб.

Характеристики

IRFD9110PBF, Транзистор, Pкан -100В -0.7A [HEXDIP]The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable

Дополнительная информация

Корпус

hd-1
Структура

p-канал