60

Транзистор IRFD210PBF

58,00 руб.

x 58,00 = 58,00
Артикул: 1128096 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней58,00руб.53,94руб.52,20руб.51,04руб.47,56руб.46,40руб.45,24руб.41,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней104,98руб.96,28руб.94,54руб.92,22руб.85,84руб.84,10руб.81,78руб.73,66руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней135,72руб.125,28руб.122,38руб.119,48руб.111,36руб.108,46руб.106,14руб.95,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней69,60руб.63,80руб.62,64руб.60,90руб.56,84руб.55,68руб.53,94руб.48,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней133,98руб.123,54руб.120,64руб.117,74руб.114,26руб.110,20руб.104,40руб.93,96руб.

Характеристики

IRFD210PBFThe IRFD210PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 600 мА, 1.0 Вт