Заполнитель

IRFB7546PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канл, 60В, 75А

110,00 руб.

x 110,00 = 110,00
Артикул: 1127116 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней110,00руб.102,30руб.99,00руб.96,80руб.93,50руб.88,00руб.85,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней206,80руб.190,30руб.187,00руб.182,60руб.176,00руб.166,10руб.161,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней210,10руб.193,60руб.189,20руб.184,80руб.176,00руб.167,20руб.163,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней132,00руб.121,00руб.118,80руб.115,50руб.112,20руб.105,60руб.102,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней191,40руб.176,00руб.171,60руб.168,30руб.162,80руб.152,90руб.148,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней119,90руб.111,10руб.107,80руб.105,60руб.102,30руб.95,70руб.93,50руб.

Характеристики

IRFB7546PBF, Транзистор, StrongIRFET, N-канл, 60В, 75А The IRFB7546PBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. The StrongIRFET™ HEXFET® power MOSFET is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, half-bridge and full-bridge topologies.

• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал