IRFB3004PBF, Транзистор, N-канал 40В 195А [TO-220AB]

170,00 руб.

Артикул: 1126064 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	170,00руб.	158,10руб.	153,00руб.	149,60руб.	144,50руб.	136,00руб.	132,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	319,60руб.	294,10руб.	289,00руб.	282,20руб.	272,00руб.	256,70руб.	249,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	324,70руб.	299,20руб.	292,40руб.	285,60руб.	272,00руб.	258,40руб.	253,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	204,00руб.	187,00руб.	183,60руб.	178,50руб.	173,40руб.	163,20руб.	158,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	295,80руб.	272,00руб.	265,20руб.	260,10руб.	251,60руб.	236,30руб.	229,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	185,30руб.	171,70руб.	166,60руб.	163,20руб.	158,10руб.	147,90руб.	144,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFB3004PBF, Транзистор, N-канал 40В 195А [TO-220AB]The IRFB3004PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability