IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]

36,00 руб.

Артикул: 1126060 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	36,00руб.	33,48руб.	32,40руб.	31,68руб.	29,52руб.	28,80руб.	28,08руб.	25,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	65,16руб.	59,76руб.	58,68руб.	57,24руб.	53,28руб.	52,20руб.	50,76руб.	45,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	84,24руб.	77,76руб.	75,96руб.	74,16руб.	69,12руб.	67,32руб.	65,88руб.	59,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	43,20руб.	39,60руб.	38,88руб.	37,80руб.	35,28руб.	34,56руб.	33,48руб.	30,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	83,16руб.	76,68руб.	74,88руб.	73,08руб.	70,92руб.	68,40руб.	64,80руб.	58,32руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF9Z34NSPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А, [D2-PAK]The IRF9Z34NSPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable device. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating