Заполнитель

Транзистор IRF9332TRPBF,Pкан -30В -9.8А SO8

47,00 руб.

x 47,00 = 47,00
Артикул: 1127518 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней47,00руб.43,71руб.42,30руб.41,36руб.38,54руб.37,60руб.36,66руб.33,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней85,07руб.78,02руб.76,61руб.74,73руб.69,56руб.68,15руб.66,27руб.59,69руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней109,98руб.101,52руб.99,17руб.96,82руб.90,24руб.87,89руб.86,01руб.77,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней56,40руб.51,70руб.50,76руб.49,35руб.46,06руб.45,12руб.43,71руб.39,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней108,57руб.100,11руб.97,76руб.95,41руб.92,59руб.89,30руб.84,60руб.76,14руб.

Характеристики

IRF9332TRPBF,Pкан -30В -9.8А SO8N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.