2

Транзистор IRF7907TRPBF,2Nкан 30В 9.1/11А SO8

59,00 руб.

x 59,00 = 59,00
Артикул: 1127517 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней59,00руб.54,87руб.53,10руб.51,92руб.48,38руб.47,20руб.46,02руб.42,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней106,79руб.97,94руб.96,17руб.93,81руб.87,32руб.85,55руб.83,19руб.74,93руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней138,06руб.127,44руб.124,49руб.121,54руб.113,28руб.110,33руб.107,97руб.96,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней70,80руб.64,90руб.63,72руб.61,95руб.57,82руб.56,64руб.54,87руб.49,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней136,29руб.125,67руб.122,72руб.119,77руб.116,23руб.112,10руб.106,20руб.95,58руб.

Характеристики

IRF7907TRPBF,2Nкан 30В 9.1/11А SO8N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.