2

IRF7832TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В

91,00 руб.

x 91,00 = 91,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней91,00руб.84,63руб.81,90руб.80,08руб.74,62руб.72,80руб.70,98руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней164,71руб.151,06руб.148,33руб.144,69руб.134,68руб.131,95руб.128,31руб.115,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней212,94руб.196,56руб.192,01руб.187,46руб.174,72руб.170,17руб.166,53руб.149,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней109,20руб.100,10руб.98,28руб.95,55руб.89,18руб.87,36руб.84,63руб.76,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней210,21руб.193,83руб.189,28руб.184,73руб.179,27руб.172,90руб.163,80руб.147,42руб.

Характеристики

IRF7832TRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

155 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

20А