Транзистор IRF7311TRPBF, 2Nкан 20В 6.6А SO8

78,00 руб.

Артикул: 1128034 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	78,00руб.	72,54руб.	70,20руб.	68,64руб.	63,96руб.	62,40руб.	60,84руб.	56,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	141,18руб.	129,48руб.	127,14руб.	124,02руб.	115,44руб.	113,10руб.	109,98руб.	99,06руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	182,52руб.	168,48руб.	164,58руб.	160,68руб.	149,76руб.	145,86руб.	142,74руб.	127,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	93,60руб.	85,80руб.	84,24руб.	81,90руб.	76,44руб.	74,88руб.	72,54руб.	65,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	180,18руб.	166,14руб.	162,24руб.	158,34руб.	153,66руб.	148,20руб.	140,40руб.	126,36руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7311TRPBF, 2Nкан 20В 6.6А SO8The IRF7311TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Транзисторы полевые импортные