IRF7104TRPBF, МОП-транзистор, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]

22,00 руб.

Артикул: 1127069 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	22,00руб.	20,46руб.	19,80руб.	19,36руб.	18,04руб.	17,60руб.	17,16руб.	15,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	39,82руб.	36,52руб.	35,86руб.	34,98руб.	32,56руб.	31,90руб.	31,02руб.	27,94руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	51,48руб.	47,52руб.	46,42руб.	45,32руб.	42,24руб.	41,14руб.	40,26руб.	36,08руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	26,40руб.	24,20руб.	23,76руб.	23,10руб.	21,56руб.	21,12руб.	20,46руб.	18,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	50,82руб.	46,86руб.	45,76руб.	44,66руб.	43,34руб.	41,80руб.	39,60руб.	35,64руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7104TRPBF, МОП-транзистор, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance