Заполнитель

IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]

38,00 руб.

x 38,00 = 38,00
Артикул: 1126665 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней38,00руб.35,34руб.34,20руб.33,44руб.31,16руб.30,40руб.29,64руб.27,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней68,78руб.63,08руб.61,94руб.60,42руб.56,24руб.55,10руб.53,58руб.48,26руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней88,92руб.82,08руб.80,18руб.78,28руб.72,96руб.71,06руб.69,54руб.62,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней45,60руб.41,80руб.41,04руб.39,90руб.37,24руб.36,48руб.35,34руб.31,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней87,78руб.80,94руб.79,04руб.77,14руб.74,86руб.72,20руб.68,40руб.61,56руб.

Характеристики

IRF640PBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]The IRF640PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175 C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал