IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]

42,00 руб.

Артикул: 1125918 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	42,00руб.	39,06руб.	37,80руб.	36,96руб.	34,44руб.	33,60руб.	32,76руб.	30,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	76,02руб.	69,72руб.	68,46руб.	66,78руб.	62,16руб.	60,90руб.	59,22руб.	53,34руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	98,28руб.	90,72руб.	88,62руб.	86,52руб.	80,64руб.	78,54руб.	76,86руб.	68,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	50,40руб.	46,20руб.	45,36руб.	44,10руб.	41,16руб.	40,32руб.	39,06руб.	35,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	97,02руб.	89,46руб.	87,36руб.	85,26руб.	82,74руб.	79,80руб.	75,60руб.	68,04руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]The IRF630NSPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements