7

Транзистор IRF5803TRPBF, Pкан -40В -3.4А TSOP6/Micro6

48,00 руб.

x 48,00 = 48,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней48,00руб.44,64руб.43,20руб.42,24руб.39,36руб.38,40руб.37,44руб.34,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней86,88руб.79,68руб.78,24руб.76,32руб.71,04руб.69,60руб.67,68руб.60,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней112,32руб.103,68руб.101,28руб.98,88руб.92,16руб.89,76руб.87,84руб.78,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней57,60руб.52,80руб.51,84руб.50,40руб.47,04руб.46,08руб.44,64руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней110,88руб.102,24руб.99,84руб.97,44руб.94,56руб.91,20руб.86,40руб.77,76руб.

Характеристики

IRF5803TRPBF, Pкан -40В -3.4А TSOP6/Micro6The IRF5803TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. It is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It’s unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%. It is ideal for DC switches and load switch.

• Low gate charge
• Halogen-free

Транзисторы полевые импортные

Дополнительная информация

Корпус

TSOP6

Структура

P-канал