7

Транзистор IRF5802TRPBF

28,00 руб.

x 28,00 = 28,00
Артикул: 1128021 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней28,00руб.26,04руб.25,20руб.24,64руб.22,96руб.22,40руб.21,84руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней50,68руб.46,48руб.45,64руб.44,52руб.41,44руб.40,60руб.39,48руб.35,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней65,52руб.60,48руб.59,08руб.57,68руб.53,76руб.52,36руб.51,24руб.45,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней33,60руб.30,80руб.30,24руб.29,40руб.27,44руб.26,88руб.26,04руб.23,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней64,68руб.59,64руб.58,24руб.56,84руб.55,16руб.53,20руб.50,40руб.45,36руб.

Характеристики

IRF5802TRPBFThe IRF5802TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.

• Fully characterized avalanche voltage and current
• Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
• Halogen-free

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TSOP6, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 0.9 А, 2 Вт