7

IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]

27,00 руб.

x 27,00 = 27,00
Артикул: 1125903 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней27,00руб.25,11руб.24,30руб.23,76руб.22,14руб.21,60руб.21,06руб.19,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней48,87руб.44,82руб.44,01руб.42,93руб.39,96руб.39,15руб.38,07руб.34,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней63,18руб.58,32руб.56,97руб.55,62руб.51,84руб.50,49руб.49,41руб.44,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней32,40руб.29,70руб.29,16руб.28,35руб.26,46руб.25,92руб.25,11руб.22,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней62,37руб.57,51руб.56,16руб.54,81руб.53,19руб.51,30руб.48,60руб.43,74руб.

Характеристики

IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]The IRF530NPBF from Infineon is a 100V single N channel HEXFET power MOSFET in a TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on-resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and is fully avalanche rated. As a result, these power MOSFETs are known to provide extreme efficiency and reliability which can be used in a wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is 100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 90mohm at Vgs of 10V
• Power dissipation Pd of 70W at 25 C
• Continuous drain current Id of 17A at Vgs 10V and 25 C
• Operating junction temperature range from -55 C to 175 C

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал