47

IRF3415SPBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [D2-PAK]

57,00 руб.

x 57,00 = 57,00
Артикул: 1125876 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней57,00руб.53,01руб.51,30руб.50,16руб.46,74руб.45,60руб.44,46руб.41,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней103,17руб.94,62руб.92,91руб.90,63руб.84,36руб.82,65руб.80,37руб.72,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней133,38руб.123,12руб.120,27руб.117,42руб.109,44руб.106,59руб.104,31руб.93,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней68,40руб.62,70руб.61,56руб.59,85руб.55,86руб.54,72руб.53,01руб.47,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней131,67руб.121,41руб.118,56руб.115,71руб.112,29руб.108,30руб.102,60руб.92,34руб.

Характеристики

IRF3415SPBF, Транзистор, N-канал 150В 43А [D2-PAK]The IRF3415SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

d2pak
Структура

n-канал