Заполнитель

IRF2807ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 89А [TO-220AB]

56,00 руб.

x 56,00 = 56,00
Артикул: 1125862 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней56,00руб.52,08руб.50,40руб.49,28руб.45,92руб.44,80руб.43,68руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней101,36руб.92,96руб.91,28руб.89,04руб.82,88руб.81,20руб.78,96руб.71,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней131,04руб.120,96руб.118,16руб.115,36руб.107,52руб.104,72руб.102,48руб.91,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней67,20руб.61,60руб.60,48руб.58,80руб.54,88руб.53,76руб.52,08руб.47,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней129,36руб.119,28руб.116,48руб.113,68руб.110,32руб.106,40руб.100,80руб.90,72руб.

Характеристики

IRF2807ZPBF, Транзистор, N-канал 75В 89А [TO-220AB]The IRF2807ZPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is also suitable for AC-to-DC, consumer full-bridge, full-bridge and push-pull applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал