Заполнитель

IRF2807SPBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [D2-PAK]

61,00 руб.

x 61,00 = 61,00
Артикул: 1125861 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней61,00руб.56,73руб.54,90руб.53,68руб.50,02руб.48,80руб.47,58руб.43,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней110,41руб.101,26руб.99,43руб.96,99руб.90,28руб.88,45руб.86,01руб.77,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней142,74руб.131,76руб.128,71руб.125,66руб.117,12руб.114,07руб.111,63руб.100,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней73,20руб.67,10руб.65,88руб.64,05руб.59,78руб.58,56руб.56,73руб.51,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней140,91руб.129,93руб.126,88руб.123,83руб.120,17руб.115,90руб.109,80руб.98,82руб.

Характеристики

IRF2807SPBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [D2-PAK]The IRF2807SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

d2pak
Структура

n-канал