Заполнитель

IRF2805SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 135 А, 55 В, 4.7 мОм

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Артикул: 1134257 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

IRF2805SPBF, МОП-транзистор, N Канал, 135 А, 55 В, 4.7 мОм The IRF2805SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It features 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

200Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

55В
Непрерывный Ток Стока

135А