Заполнитель

IPW60R165CPFKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В

510,00 руб.

x 510,00 = 510,00
Артикул: 1132502 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней510,00руб.474,30руб.459,00руб.448,80руб.433,50руб.408,00руб.397,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней958,80руб.882,30руб.867,00руб.846,60руб.816,00руб.770,10руб.749,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней974,10руб.897,60руб.877,20руб.856,80руб.816,00руб.775,20руб.759,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней612,00руб.561,00руб.550,80руб.535,50руб.520,20руб.489,60руб.474,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней887,40руб.816,00руб.795,60руб.780,30руб.754,80руб.708,90руб.688,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней555,90руб.515,10руб.499,80руб.489,60руб.474,30руб.443,70руб.433,50руб.

Характеристики

IPW60R165CPFKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 600 В The IPW60R165CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching topologies, server and telecom applications.

• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Extreme dV/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Very fast switching
• High current capability
• Significant reduction of conduction and switching losses
• High power density and efficiency for superior power conversion systems
• Best-in-class performance ratio

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

192Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

21А