74826bf86fa802839b9a2d7bceeee3d1

IPD65R660CFDBTMA1, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 650 В

78,00 руб.

x 78,00 = 78,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней78,00руб.72,54руб.70,20руб.68,64руб.63,96руб.62,40руб.60,84руб.56,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней141,18руб.129,48руб.127,14руб.124,02руб.115,44руб.113,10руб.109,98руб.99,06руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней182,52руб.168,48руб.164,58руб.160,68руб.149,76руб.145,86руб.142,74руб.127,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней93,60руб.85,80руб.84,24руб.81,90руб.76,44руб.74,88руб.72,54руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней180,18руб.166,14руб.162,24руб.158,34руб.153,66руб.148,20руб.140,40руб.126,36руб.

Характеристики

IPD65R660CFDBTMA1, МОП-транзистор, N Канал, 6 А, 650 В Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока