3013a824fd388a9519468877ccff68e9

IPD50R1K4CEBTMA1, МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 500 В

53,00 руб.

x 53,00 = 53,00
Артикул: 1134125 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней53,00руб.49,29руб.47,70руб.46,64руб.43,46руб.42,40руб.41,34руб.38,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней95,93руб.87,98руб.86,39руб.84,27руб.78,44руб.76,85руб.74,73руб.67,31руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней124,02руб.114,48руб.111,83руб.109,18руб.101,76руб.99,11руб.96,99руб.86,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней63,60руб.58,30руб.57,24руб.55,65руб.51,94руб.50,88руб.49,29руб.44,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней122,43руб.112,89руб.110,24руб.107,59руб.104,41руб.100,70руб.95,40руб.85,86руб.

Характеристики

IPD50R1K4CEBTMA1, МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 500 В The IPD50R1K4CE is a CoolMOS™ N-channel CE Power MOSFET optimized to meet highest efficiency standards. It provides all benefits of a fast switching Super-junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

• Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
• High body diode ruggedness
• Reduced reverse recovery charge (Qrr)
• Reduced gate charge (Qg)
• Easy control of switching behaviour
• Cost attractive alternative compared to standard MOSFETs
• Outstanding quality and reliability of CoolMOS™ technology
• Extremely low losses due to very low FOM RDS (ON) x Qg and Eoss
• Very high commutation ruggedness
• Easy to use/drive
• Halogen-free
• Qualified for standard grade applications

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

3.1А