f25115ebffa959de9e975e9acc6dd1db

Транзистор IKW40N120T2

750,00 руб.

x 750,00 = 750,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней750,00руб.697,50руб.675,00руб.660,00руб.637,50руб.600,00руб.585,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.410,00руб.1.297,50руб.1.275,00руб.1.245,00руб.1.200,00руб.1.132,50руб.1.102,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.432,50руб.1.320,00руб.1.290,00руб.1.260,00руб.1.200,00руб.1.140,00руб.1.117,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней900,00руб.825,00руб.810,00руб.787,50руб.765,00руб.720,00руб.697,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.305,00руб.1.200,00руб.1.170,00руб.1.147,50руб.1.110,00руб.1.042,50руб.1.012,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней817,50руб.757,50руб.735,00руб.720,00руб.697,50руб.652,50руб.637,50руб.

Характеристики

IKW40N120T2Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.