94178e21459bb2e3f75ab52a4267d523

Транзистор IKW25N120H3

460,00 руб.

x 460,00 = 460,00
Артикул: 1128411 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней460,00руб.427,80руб.414,00руб.404,80руб.391,00руб.368,00руб.358,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней864,80руб.795,80руб.782,00руб.763,60руб.736,00руб.694,60руб.676,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней878,60руб.809,60руб.791,20руб.772,80руб.736,00руб.699,20руб.685,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней552,00руб.506,00руб.496,80руб.483,00руб.469,20руб.441,60руб.427,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней800,40руб.736,00руб.717,60руб.703,80руб.680,80руб.639,40руб.621,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней501,40руб.464,60руб.450,80руб.441,60руб.427,80руб.400,20руб.391,00руб.

Характеристики

IKW25N120H3 IGBT Discretes, Infineon
Infineon range of discrete IGBT’s offer different technologies such as NPT, N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard switching and soft switching. This includes Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices may have an anti-parallel diode or with maybe a monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Дополнительная информация

Корпус

pg-to247-3