9ebdfaee5ce5572d8b9d57ef88a4315e

Транзистор HGTP12N60A4D

260,00 руб.

x 260,00 = 260,00
Артикул: 1128568 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней260,00руб.241,80руб.234,00руб.228,80руб.221,00руб.208,00руб.202,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней488,80руб.449,80руб.442,00руб.431,60руб.416,00руб.392,60руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней496,60руб.457,60руб.447,20руб.436,80руб.416,00руб.395,20руб.387,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней312,00руб.286,00руб.280,80руб.273,00руб.265,20руб.249,60руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней452,40руб.416,00руб.405,60руб.397,80руб.384,80руб.361,40руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней283,40руб.262,60руб.254,80руб.249,60руб.241,80руб.226,20руб.221,00руб.

Характеристики

HGTP12N60A4DThe HGTP12N60A4D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS series is a member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.

• 70ns at TJ = 125 C Fall time

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 200 кГц