Транзистор HGTG30N60B3, 60A/600V N-

437,00 руб.

Артикул: 1128410 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	437,00руб.	406,41руб.	393,30руб.	384,56руб.	371,45руб.	349,60руб.	340,86руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	821,56руб.	756,01руб.	742,90руб.	725,42руб.	699,20руб.	659,87руб.	642,39руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	834,67руб.	769,12руб.	751,64руб.	734,16руб.	699,20руб.	664,24руб.	651,13руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	524,40руб.	480,70руб.	471,96руб.	458,85руб.	445,74руб.	419,52руб.	406,41руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	760,38руб.	699,20руб.	681,72руб.	668,61руб.	646,76руб.	607,43руб.	589,95руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	476,33руб.	441,37руб.	428,26руб.	419,52руб.	406,41руб.	380,19руб.	371,45руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

HGTG30N60B3, 60A/600V N-The HGTG30N60B3 is a PT IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.

• Short-circuit rating
• 1.45V @ IC = 30A Low saturation voltage
• 90ns Fall time @ TJ = 150 C
• 208W Total power dissipation @ TC = 25 C