1c3eeb70a85b2281c43fe93cd2d6b483

HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В

360,00 руб.

x 360,00 = 360,00
Артикул: 1129037 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней360,00руб.334,80руб.324,00руб.316,80руб.306,00руб.288,00руб.280,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней676,80руб.622,80руб.612,00руб.597,60руб.576,00руб.543,60руб.529,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней687,60руб.633,60руб.619,20руб.604,80руб.576,00руб.547,20руб.536,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней432,00руб.396,00руб.388,80руб.378,00руб.367,20руб.345,60руб.334,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней626,40руб.576,00руб.561,60руб.550,80руб.532,80руб.500,40руб.486,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней392,40руб.363,60руб.352,80руб.345,60руб.334,80руб.313,20руб.306,00руб.

Характеристики

HFA3128BZ, Массив биполярных транзисторов, PNP, 12 В The HFA3128BZ is a PNP ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The transistor exhibits a fT of 5.5GHz, low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of this transistor array provides close electrical and thermal matching of the five transistors.

• 3.5dB Noise figure (50R) at 1GHz
•

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

125 C
Количество Выводов

16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

150мВт
Полярность Транзистора

pnp
DC Ток Коллектора

37мА
DC Усиление Тока hFE

60hFE