IGBT-POWER-MODULE-GD75PIL120C6S

GD150FFL120C6S силовой модуль igbt

13.100,00 руб.

x 13.100,00 = 13.100,00
Артикул: 1093115 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней13.100,00руб.12.183,00руб.11.528,00руб.11.135,00руб.10.742,00руб.10.545,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней14.803,00руб.13.362,00руб.13.100,00руб.12.576,00руб.12.183,00руб.11.921,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней15.982,00руб.14.410,00руб.14.017,00руб.13.624,00руб.12.838,00руб.12.052,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней15.589,00руб.14.017,00руб.13.755,00руб.13.231,00руб.12.707,00руб.11.986,50руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней22.270,00руб.20.043,00руб.19.650,00руб.18.864,00руб.18.209,00руб.16.637,00руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней22.139,00руб.19.912,00руб.19.492,80руб.18.733,00руб.18.078,00руб.16.506,00руб.

Характеристики

Symbol Description Value Unit VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGES Gate-Emitter Voltage ±20 V IC Collector Current @ TC=25o C @ TC=100o C 240 150 A ICM Pulsed Collector Current tp=1ms 300 A PD Maximum Power Dissipation @ Tj=175o C 888 W Diode Symbol Description Value Unit VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 1200 V IF Diode Continuous Forward Current 150 A IFM Diode Maximum Forward Current tp=1ms 300 A Module Symbol Description Value Unit Tjmax Maximum Junction Temperature 175 o C Tjop Operating Junction Temperature -40 to +150 o C TSTG Storage Temperature Range -40 to +125 o C VISO Isolation Voltage RMS,f=50Hz,t=1min 4000 V