Заполнитель

FQT7N10TF, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 100 В, 0.28 Ом

49,00 руб.

x 49,00 = 49,00
Артикул: 1134033 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней49,00руб.45,57руб.44,10руб.43,12руб.40,18руб.39,20руб.38,22руб.35,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней88,69руб.81,34руб.79,87руб.77,91руб.72,52руб.71,05руб.69,09руб.62,23руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней114,66руб.105,84руб.103,39руб.100,94руб.94,08руб.91,63руб.89,67руб.80,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней58,80руб.53,90руб.52,92руб.51,45руб.48,02руб.47,04руб.45,57руб.41,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней113,19руб.104,37руб.101,92руб.99,47руб.96,53руб.93,10руб.88,20руб.79,38руб.

Характеристики

FQT7N10TF, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 100 В, 0.28 Ом The FQT7N10TF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 5.8nC Typical low gate charge
• 10pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

1.7А