37acf8f188afb8de56af226c25c28036

Транзистор FQPF3N80C

92,00 руб.

x 92,00 = 92,00
Артикул: 1128000 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней92,00руб.85,56руб.82,80руб.80,96руб.75,44руб.73,60руб.71,76руб.66,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней166,52руб.152,72руб.149,96руб.146,28руб.136,16руб.133,40руб.129,72руб.116,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней215,28руб.198,72руб.194,12руб.189,52руб.176,64руб.172,04руб.168,36руб.150,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней110,40руб.101,20руб.99,36руб.96,60руб.90,16руб.88,32руб.85,56руб.77,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней212,52руб.195,96руб.191,36руб.186,76руб.181,24руб.174,80руб.165,60руб.149,04руб.

Характеристики

FQPF3N80CQFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220F, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.8 А, 39 Вт