Заполнитель

FQPF22P10, МОП-транзистор, P Канал, -13.2 А, -100 В

190,00 руб.

x 190,00 = 190,00
Артикул: 1132186 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней190,00руб.176,70руб.171,00руб.167,20руб.161,50руб.152,00руб.148,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней357,20руб.328,70руб.323,00руб.315,40руб.304,00руб.286,90руб.279,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней362,90руб.334,40руб.326,80руб.319,20руб.304,00руб.288,80руб.283,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней228,00руб.209,00руб.205,20руб.199,50руб.193,80руб.182,40руб.176,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней330,60руб.304,00руб.296,40руб.290,70руб.281,20руб.264,10руб.256,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней207,10руб.191,90руб.186,20руб.182,40руб.176,70руб.165,30руб.161,50руб.

Характеристики

FQPF22P10, МОП-транзистор, P Канал, -13.2 А, -100 В QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220F
Рассеиваемая Мощность

45Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-100В
Непрерывный Ток Стока

-13.2А