Заполнитель

FQP4P40, МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -400 В, 2.44 Ом

260,00 руб.

x 260,00 = 260,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней260,00руб.241,80руб.234,00руб.228,80руб.221,00руб.208,00руб.202,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней488,80руб.449,80руб.442,00руб.431,60руб.416,00руб.392,60руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней496,60руб.457,60руб.447,20руб.436,80руб.416,00руб.395,20руб.387,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней312,00руб.286,00руб.280,80руб.273,00руб.265,20руб.249,60руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней452,40руб.416,00руб.405,60руб.397,80руб.384,80руб.361,40руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней283,40руб.262,60руб.254,80руб.249,60руб.241,80руб.226,20руб.221,00руб.

Характеристики

FQP4P40, МОП-транзистор, P Канал, -3.5 А, -400 В, 2.44 Ом QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

to-220

Рассеиваемая Мощность

85Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-400В

Непрерывный Ток Стока

-3.5А