Заполнитель

FQP3P20, МОП-транзистор, P Канал, -2.8 А, -200 В, 2.06 Ом

73,00 руб.

x 73,00 = 73,00
Артикул: 1134020 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней73,00руб.67,89руб.65,70руб.64,24руб.59,86руб.58,40руб.56,94руб.52,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней132,13руб.121,18руб.118,99руб.116,07руб.108,04руб.105,85руб.102,93руб.92,71руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней170,82руб.157,68руб.154,03руб.150,38руб.140,16руб.136,51руб.133,59руб.119,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней87,60руб.80,30руб.78,84руб.76,65руб.71,54руб.70,08руб.67,89руб.61,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней168,63руб.155,49руб.151,84руб.148,19руб.143,81руб.138,70руб.131,40руб.118,26руб.

Характеристики

FQP3P20, МОП-транзистор, P Канал, -2.8 А, -200 В, 2.06 Ом QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

52Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-200В
Непрерывный Ток Стока

-2.8А