Заполнитель

FQP3N30, МОП-транзистор, N Канал, 3.2 А, 300 В, 1.65 Ом

74,00 руб.

x 74,00 = 74,00
Артикул: 1134019 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней74,00руб.68,82руб.66,60руб.65,12руб.60,68руб.59,20руб.57,72руб.53,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней133,94руб.122,84руб.120,62руб.117,66руб.109,52руб.107,30руб.104,34руб.93,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней173,16руб.159,84руб.156,14руб.152,44руб.142,08руб.138,38руб.135,42руб.121,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней88,80руб.81,40руб.79,92руб.77,70руб.72,52руб.71,04руб.68,82руб.62,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней170,94руб.157,62руб.153,92руб.150,22руб.145,78руб.140,60руб.133,20руб.119,88руб.

Характеристики

FQP3N30, МОП-транзистор, N Канал, 3.2 А, 300 В, 1.65 Ом QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

55Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

300В
Непрерывный Ток Стока

3.2А