16

FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]

56,00 руб.

x 56,00 = 56,00
Артикул: 1126637 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней56,00руб.52,08руб.50,40руб.49,28руб.45,92руб.44,80руб.43,68руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней101,36руб.92,96руб.91,28руб.89,04руб.82,88руб.81,20руб.78,96руб.71,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней131,04руб.120,96руб.118,16руб.115,36руб.107,52руб.104,72руб.102,48руб.91,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней67,20руб.61,60руб.60,48руб.58,80руб.54,88руб.53,76руб.52,08руб.47,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней129,36руб.119,28руб.116,48руб.113,68руб.110,32руб.106,40руб.100,80руб.90,72руб.

Характеристики

FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220]QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал