Заполнитель

Транзистор FQP19N20C

90,00 руб.

x 90,00 = 90,00
Артикул: 1127984 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней90,00руб.83,70руб.81,00руб.79,20руб.73,80руб.72,00руб.70,20руб.64,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней162,90руб.149,40руб.146,70руб.143,10руб.133,20руб.130,50руб.126,90руб.114,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней210,60руб.194,40руб.189,90руб.185,40руб.172,80руб.168,30руб.164,70руб.147,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней108,00руб.99,00руб.97,20руб.94,50руб.88,20руб.86,40руб.83,70руб.75,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней207,90руб.191,70руб.187,20руб.182,70руб.177,30руб.171,00руб.162,00руб.145,80руб.

Характеристики

FQP19N20CThe FQP19N20C is a 200V N-channel QFET® MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (typical 40.5nC)
• Low Crss (typical 85pF)
• 100% Avalanche tested
• ±30V Gate to source voltage
• 62.5 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 0.9 C/W Thermal resistance, junction to case

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19 А, 139 Вт