Заполнитель

FQP13N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12.8 А, 100 В, 0.142 Ом

75,00 руб.

x 75,00 = 75,00
Артикул: 1134011 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней75,00руб.69,75руб.67,50руб.66,00руб.61,50руб.60,00руб.58,50руб.54,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней135,75руб.124,50руб.122,25руб.119,25руб.111,00руб.108,75руб.105,75руб.95,25руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней175,50руб.162,00руб.158,25руб.154,50руб.144,00руб.140,25руб.137,25руб.123,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней90,00руб.82,50руб.81,00руб.78,75руб.73,50руб.72,00руб.69,75руб.63,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней173,25руб.159,75руб.156,00руб.152,25руб.147,75руб.142,50руб.135,00руб.121,50руб.

Характеристики

FQP13N10L, МОП-транзистор, N Канал, 12.8 А, 100 В, 0.142 Ом The FQP13N10L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 8.7nC Typical low gate charge
• 100pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

65Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

12.8А