9eab506180922187f4460371ceb08fb7

Транзистор FQP12N60C

253,00 руб.

x 253,00 = 253,00
Артикул: 1127488 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней253,00руб.235,29руб.227,70руб.222,64руб.215,05руб.202,40руб.197,34руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней475,64руб.437,69руб.430,10руб.419,98руб.404,80руб.382,03руб.371,91руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней483,23руб.445,28руб.435,16руб.425,04руб.404,80руб.384,56руб.376,97руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней303,60руб.278,30руб.273,24руб.265,65руб.258,06руб.242,88руб.235,29руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней440,22руб.404,80руб.394,68руб.387,09руб.374,44руб.351,67руб.341,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней275,77руб.255,53руб.247,94руб.242,88руб.235,29руб.220,11руб.215,05руб.

Характеристики

FQP12N60CFQP12N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости