Заполнитель

FQD7P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -5.4 А, -60 В, 0.36 Ом

55,00 руб.

x 55,00 = 55,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней55,00руб.51,15руб.49,50руб.48,40руб.45,10руб.44,00руб.42,90руб.39,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней99,55руб.91,30руб.89,65руб.87,45руб.81,40руб.79,75руб.77,55руб.69,85руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней128,70руб.118,80руб.116,05руб.113,30руб.105,60руб.102,85руб.100,65руб.90,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней66,00руб.60,50руб.59,40руб.57,75руб.53,90руб.52,80руб.51,15руб.46,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней127,05руб.117,15руб.114,40руб.111,65руб.108,35руб.104,50руб.99,00руб.89,10руб.

Характеристики

FQD7P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -5.4 А, -60 В, 0.36 Ом Enhancement Mode P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

28Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-60В

Непрерывный Ток Стока

-5.4А